حافظه رم استوک کامپیوتر RAM DDR3 4GB

RAM DDR3 4G

DDR3 سومین نسل از حافظه های DRAM است که نسبت به نسل قبلی خود DDR2 در زمینه پهنای باند و مصرف انرژی پیشرفت قابل ملاحظه ای دارد. این پیشرفت شامل 70% مصرف کمتر انرژی در سرعت مشابه نسبت به DDR2 و 2 برابر پهنای باند بیشتر نسبت به نسل قبل است.

• حافظه های معمولی DDR3 با ولتاژ 1.5 ولت کار میکنند که این عدد در نسل قبلی 1.8 ولت بوده است. حافظه های کم مصرف DDR3 از 1.35 ولت استفاده میکنند که با 20% مصرف کمتر عملکرد مشابهی را ارائه میکنند.
• بافرهای 8 بیتی اطلاعات بیشتری نسبت به بافر 4 بیتی مورد استفاده در نسل قبل ذخیره میکنند.
• وجود یک سنسور درجه حرارت در این حافظه ها از ورود بیش از حد اطلاعات در مواقع گرم شدن چیپ جلوگیری می کند.

حافظه های DDR3 از سرعت 1600MHz پشتیبانی میکنند که دوبرابر نسل قبلی است که 1333MHz بود. در انواع پیشرفته تر حافظه DDR3 از سرعت 1866 و 2166MHz نیز پشتیبانی می شود. نسل هشتم سرورهای شرکت HP از این سرعتهای بالاتر پشتیبانی می کند. البته این پشتیبانی مستلزم استفاده از پردازنده مناسب این سرعت مموری است.

تکنولوژی DRAM

حافظه های رم از چیپ های DRAM ساخته می شوند که به یکدیگر متصل شده اند. هر DRAM شامل یک آرایه از ذخیره سازهای Bit است. یک DRAM با یک میلیارد محل ذخیره یک حافظه 1-Giga-bit خوانده می شود. و هشت عدد از حافظه های 1-Giga-bit تشکیل یک حافظه 1-Giga-Byte می دهند.
در حال حاضر حافظه های DDR3 از DRAM های 4Gb 2Gb, 1Gb ساخته می شوند. امکان ترکیب تکنولوژی های مختلف DRAM روی یک چیپ حافظه رم وجود ندارد. یک چیپ DRAM می تواند 4 کانال ورودی خروجی و یا 8 کانال داشته باشد که به صورت x4 یا x8 نشان داده می شود.

سرعت

حافظه های رم از سرعت متفاوتی نسبت به سرعت پردازنده استفاده می کند و اطلاعات را بین پردازنده و کنترلر حافظه منتقل می کند. سرعت کارکرد واقعی یک حافظه به 5 عامل زیر بستگی دارد.
1. حداکثر سرعتی که توسط پردازنده برای حافظه رم پشتیبانی می شود.
2. حداکثر سرعت خود حافظه رم.
3. تعداد Rank های مموری.هر Rank مقداری بار الکتریکی به سیستم تحمیل می کند، وقتی بار الکتریکی زیاد شود پیوستگی سیگنال کاهش می یابد و به منظور حفظ یکپارچگی سیگنال حافظه در سرعت پایینتری کار خواهد کرد.

4. تعداد حافظه های متصل در سیستم.هرچه تعداد مموری ها بیشتر باشد بار وارد شده به کنترلر مموری بیشتر خواهد بود و به منظور حفظ یکپارچگی سیگنال سرعت کلی حافظه ها پایین تر خواهد بود.

5. تنظیمات BIOS.با تغییر تنظیمات BIOS می توان به صورت دستی مقدار سرعت حافظه رم را کاهش داد تا مصرف انرژی آن کمتر شود.

بهینه سازی عملکرد

عملکرد حافظه به دو عامل توان و تاخیر بستگی دارد. تاخیر مدت زمانی است که از زمان ارسال دستور توسط پردازنده به حافظه طول می کشد تا آن اطلاعات شروع به انتقال کنند. همچنین توان عملیاتی حافظه میزان اطلاعاتی است که یک سیستم می تواند در یک مدت زمان مشخص منتقل کند.
فاکتورهای تاثیرگذار در تاخیر
تاخیر بدون بار و تحت بار دو فاکتور ارزیابی میزان تاخیر سیستم است.
تاخیر بدون بار مدت زمانی است که برای سیستم در حال استراحت طول می کشد تا شروع به انتقال داده بعد از دریافت دستور کند. این تاخیر کمترین میزان تاخیری قابل دستیابی در یک سیستم است.
تاخیر تحت بار مدت زمانی است که برای یک سیستم که کاملا پر از دستورات ارسال شده پردازنده است طول می کشد تا داده مورد نظر را ارسال کند.
عوامل زیادی وجود دارند که در تاخیر سیستم تاثیر می گذارند
• سرعت حافظه مهمترین عامل ایجاد تاخیر تحت بار است. هرچه سرعت حافظه بالاتر باشد میزان تاخیر کمتر خواهد بود.
• در یک سرعت یکسان، هرچه Rank بیشتری وجود داشته باشد تاخیر کمتر خواهد بود. Rank بیشتر امکان موازی سازی عملیات را به کنترلر مموری می دهد و زمان تاخیر را کم می کند.
• تاخیر CAS بیانگر میزان تاخیر ساختاری هر حافظه است. این تاخیر میزان سیکل های طی شده در حافظه بعد از دریافت دستور و قبل از ارسال اطلاعات را نشان می دهد. هرچه تعداد این سیکل ها کمتر باشد این تاخیر نیز کمتر است.